塑封料環氧塑封料(點擊查看詳細內容)
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商品詳細介紹
環氧塑封料介紹
 
      EF-150C系列環氧塑封料是一種單組分熱固性高分子復合材料,它是以環氧樹脂為基體樹脂,以酚醛樹脂為固化劑,加上促進劑、阻燃劑、填料、顏料、偶聯劑及其它微量組分,按一定的比例經過前混、擠出、粉碎、磁選、后混合、預成型(打餅)等工藝制成。主要用于封裝晶體管和集成電路等半導體器件。
 
 
     我公司生產的環氧模塑料具有固化快、易操作、成型性好等特點。產品適用于各種封裝形式,目前共有20多種產品型號,封裝產品涵蓋中小規模、大規模集成電路,各種功率器件、分立器件,具有良好的工藝性、較寬的適應性和較高的可靠性。可以提供從Φ9、Φ13、Φ14、Φ35、Φ40、Φ43等多種尺寸的產品,能夠滿足不同客戶的產品需求。
 
 
No
型號
封裝產品
1
EF-150C(C*)
普通鉭電容、氧化鈮鉭電容、高分子鉭電容
2
EF-150C(D*)
功率器件、高壓硅堆
3
EF-150C(E*)
二極管、三極管
4
EF-150C(I*)
中小規模、大規模集成電路
5
EF-150C(Q*)
全包封產品
6
EF-150C(R*)
光電封裝、紅外接收頭
 
 
 
封裝工藝條件
 
  預熱時間 25-30 s
  模具溫度 170-190 ℃
  注塑壓力 30-60 kg/cm2
  傳遞時間 15-20 s
  固化時間 90-180 s
  后固化溫度 170-180 ℃
  后固化時間 4-8 h
 
  以上封裝工藝為我司推薦,客戶可根據實際情況自行調整封裝工藝。
  預熱對于環氧塑封料的模塑成型十分重要,在推薦條件下,料餅應該預熱到能用手指捏變形即可,避免預熱過軟導致料餅塌陷。料餅預熱后,要求在10秒內使用,以免在料餅加入模具前由于化學反應導致流動性變差,影響封裝質量。
 
 
包裝
 
  本產品用紙箱包裝,內襯雙層塑料袋,每箱凈重15kg。
 
 
儲存
 
  本產品應低溫保存在干燥通風的冷庫中,10℃以下,儲存期6個月。
 
 
使用注意事項
 
  塑封料從冷庫取出后,須在室溫下放置8小時以上可打開包裝使用,使用完畢須封口保存。塑封料在回溫后放置超過72小時報廢。
 
 
各型號介紹
 
1.   C系列環氧塑封料主要用于鉭電容封裝,包括二氧化錳鉭電容、氧化鈮電容、高分子片式鉭電容。產品具有低應力、優異的成型性、高可靠性、快速固化性。
 
 
型號
CA
CB
CC
CD
CE
CM
顏色
藍黑
藍黑
 
特點
適用于普通鉭電容封裝
低應力,快速固化,優異的流動性,適用于氧化鈮電容和高分子鉭電容
擁有極好的成型性
流動長度/175℃/cm
65
65
55
55
55
70
凝膠時間/175℃/s
15
15
12
12
12
15
填料含量/%
74
74
88
88
88
74
CTE -α1/ppm/℃
20
20
13
13
13
20
CTE -α2/ppm/℃
70
70
42
42
42
70
Tg/℃
166
166
152
152
152
166
 
2.   D系列環氧塑封料主要用于高壓硅堆、橋堆等高壓器件的封裝,產品具有優異的成型性,很高的流動性,超低應力、電學性能。特別適用于需要高溫條件下具有良好電學性能的高壓功率器件。
 
 
 
型號
DA
DB
特點
特別設計用于高壓硅堆的封裝,具有優異的流動性及可靠性。同時擁有高溫下良好的電性能
快速固化性,同時具有優異的成型性和可靠性。
流動長度/175℃/cm
95
75
凝膠時間/175℃/s
28
16
填料含量/%
74
76
CTE -α1/ppm/℃
15
18
CTE -α2/ppm/℃
58
65
導熱率/W/mK
1.4
1.5
Tg /℃
165
168
 
3.    E系列環氧塑封料主要用于分立器件(二極管、三極管)及表面貼片元件(SOD、SOT)的封裝,產品擁有優良的成型性、較低成本。同時擁有優良的電學性能及可靠性,可在回流溫度235度條件下達到JEDEC 3級要求。
 
 
型號
EN
EB
EA
EF
封裝形式
DO
SOD/SOT
TO-92/126
TO-220/247
特點
適用于軸向二極管封裝,具有優良的成型性和可靠性
較低應力、高可靠性,260℃回流條件下達到JEDEC 3級要求
優異成型性和可靠性
高導熱、低應力。
流動長度/175℃/cm
75
85
80
70
凝膠時間/175℃/s
17
18
20
25
填料含量/%
74
73
75
78
CTE α1/ppm/℃
22
18
21
16
CTE α2/ppm/℃
75
65
73
60
Tg /℃
172
164
168
170
 
4.    I系列環氧塑封料主要用于IC器件(DIP、SOP、QFP、QFN)的封裝,產品擁有優良的成型性、優良的電學性能及可靠性,可在回流溫度260℃條件下達到JEDEC 1級要求。
 

型號
IA
IB
IC
封裝形式
DIP
SOP
QFP/QFN
特點
低應力、具有優異的成型性和可靠性
高粘合性、超低應力、低吸濕性,高穩定性,適用于SOP封裝
高粘合性、超低應力、低吸濕性,高穩定性、低翹曲,適應于大尺寸封裝
流動長度/175℃/cm
90
100
110
凝膠時間/175℃/s
26
30
28
密度/g/cm3
1.75
1.95
1.95
粘度/175℃/Pa.s
20-40
20-40
20-40
填料含量/%
75
85
85
硅粉類型
熔融/球形
球形
球形
彎曲強度/kgf/mm2
20
18
18
彎曲模量/kgf/mm2
1880
1700
1750
CTE α1 /ppm/℃
14
12
9
CTE α2 /ppm/℃
50
40
35
導熱率/w/m.k
0.8
1.4
1.5
水溶液萃取
氯離子/ppm
<5
<5
<5
鈉離子/ppm
<1
<1
<1
溴離子/ppm
<5
<5
<5
電導率/ppm
10
10
10
阻燃等級
V-0
V-0
V-0
Tg /℃
162
150
145

 
5.    Q系列環氧塑封料主要用于全包封三極管(TO220F)的封裝,產品具有高導熱性,優良的成型性,優異的電性能。對于TO-220F熱需求有高導熱解決方案。低吸濕性和低熱膨脹性,適用于應力敏感器件。
 
 
型號
QA
QB
封裝形式
TO220F/3PF
TO220F/3PF
特點
高填料含量,擁有低應力、低吸濕性。并擁有優異的成型性和可靠性
進一步提高填料含量,具有更高的的導熱系數及更低的應力
流動長度/175℃/cm
65
60
凝膠時間/175℃/s
25
27
填料含量/%
85
88
CTE α1/ppm/℃
18
15
CTE α2/ppm/℃
64
52
導熱率/W/mK
1.9
2.1
Tg /℃
152
150
 
 
6.    R系列環氧塑封料主要用于紅外接收頭等光學半導體芯片的封裝,產品具有優異的耐熱性及耐濕性。可阻斷840nm以下可見光。
 
 
型號
RA
封裝形式
紅外接收頭
特點
可阻斷840nm以下可見光,特別適用于紅外接收頭的封裝
流動長度/175℃/cm
95
凝膠時間/175℃/s
40
透光率/1%/
830nm
CTE α1/ppm/℃
52
CTE α2/ppm/℃
161
Tg/℃
130
 
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